5、影響氧化速率的因素 (1) 溫度對氧化速率的影響: (2) 氧化氣氛對氧化速率的影響: (3) 氧化劑氣壓對氧化速率的影響: 當(dāng)氧化劑氣壓變大時,氧化反應(yīng)會被加速進(jìn)行。 (4) 硅片表面晶

詳解硅晶片的熱氧化工藝Si晶片在大氣中自然氧化,表面非常薄,但被SiO2膜復(fù)蓋。Si和在其上產(chǎn)生的SiO2膜的密合性很強。在高溫下進(jìn)行氧化,會產(chǎn)生厚而致密且穩(wěn)定的膜。Si的熔點為1412℃

(三)熱氧化工藝的(三)熱氧化工藝的DealDealGroveGrove模型模型CC:氧化劑濃度:氧化劑濃度氧化劑氧化劑由由氣相氣相傳輸傳輸SiOSiO22的表面的表面,其粒子

水汽氧化之間。 ②常有的熱氧化工藝: a 方法:常采納干氧 濕氧 干氧交替氧化法。 b 工藝條件: 溫度:高溫(常有的為 1000℃1200 ℃)。 時間:一般總氧化時間超出 30 分鐘。 ② 氧化生長規(guī)律:

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常見的熱氧化工藝二.常見的各種氧化工藝熱氧化工藝熱生長氧化法將硅片置于高溫下,通以氧化的氣氛,使硅表面一薄層的硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎趸璧姆椒ā＂俪Ｒ姷臒嵫趸?/p>在線咨詢

章章熱氧化工藝熱氧化工藝熱氧化工藝熱氧化工藝( (Thermal OxidationThermal Oxidation) ) 硅的熱氧化工藝硅的熱氧化工藝(Thermal Oxidation)(Thermal Oxidation)■

1.1 退火工藝流程 1.2 退火工序內(nèi)容 單晶硅退火工序包括退火工藝以及熱氧化工藝。 1.3 退火工藝簡介 退火是一種材料熱處理工藝,指的是將材料緩慢加熱到一定溫度,保持足夠時間,然后以